台湾嘉硕科技股份有限公司
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台湾嘉硕科技股份有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 TW200618207 声波元件积体化及单石化之封装结构 2006.06.01 提供一种声波元件积体化及单石化之封装结构,其系包含一第一元件、一接合层、一第二元件及一导体层。第一元
2 TWI228285 具有阻碍结构的封装结构及其制造方法 2005.02.21 在知技艺中,封胶很容易流入基板和电子元件间的空隙,并接触到电子元件的主动区而影响电子元件的特性。本发
3 TW200605499 具有静电防护的表面声波元件 2006.02.01 在表面声波元件上形成具有碎形形状的牺牲电极。具有碎形形状的牺牲电极除可作为释放静电的路径达到保护表面
4 TWI505380 导电封装结构及其制造方法 2015.10.21
5 TWI501465 准碎形天线 2015.09.21
6 TWI484772 多输入多输出天线装置 2015.05.11
7 TWI475749 改良式天线 2015.03.01
8 具有静电防护的表面声波元件 2011.01.21
9 TWI290733 半导体制程中使用单一光罩降低绕射效应之光罩布局及曝光方法 2007.12.01 本发明系在半导体制程中,藉由单一光罩适当的布局设计以及曝光设备适当的操作,使得曝光过程中,由于细微图
10 CN1300843C 电子元件的封装结构及其制造方法 2007.02.14 本发明在基板上先形成一缓冲层,再将电子组件封装于其上,可避免公知技术中气密性不佳或工艺繁杂等问题,因
11 TW200703894 以背面抗反射层、二次显影制作高频表面声波元件之方法 2007.01.16 本发明揭露一种用于制作高频表面声波元件的方法。本发明之方法的步骤包含于曝光前在晶片背面涂布抗反射膜,
12 TWI245383 声波元件积体化及单石化之封装结构 2005.12.11 提供一种声波元件积体化及单石化之封装结构,其系包含一第一元件、一接合层、一第二元件及一导体层。第一元
13 TW200525713 电子元件的封装结构及其制造方法 2005.08.01 本发明在基板上先形成一缓冲层,再将电子元件封装于其上,可避免知技艺中气密性不佳或制程繁杂等问题,因此
14 TW200525659 具有阻碍结构的封装结构及其制造方法 2005.08.01 在知技艺中,封胶很容易流入基板和电子元件间的空隙,并接触到电子元件的主动区而影响电子元件的特性。本发
15 CN1645599A 电子元件的封装结构及其制造方法 2005.07.27 本发明在基板上先形成一缓冲层,再将电子组件封装于其上,可避免公知技术中气密性不佳或制程繁杂等问题,因
16 TWI231976 电子元件的封装结构及其制造方法 2005.05.01 本发明在基板上先形成一缓冲层,再将电子元件封装于其上,可避免知技艺中气密性不佳或制程繁杂等问题,因此
17 TWI220691 三电极单晶片石英晶体滤波器量测电路与量测方法 2004.09.01 一种三电极单晶片石英晶体滤波器量测电路与量测方法。分别以第一开关与第二开关联接三电极单晶片石英晶体滤
18 TW575950 元件封装结构与其制程 2004.02.11 本发明揭露了一种元件封装结构与其制程,此封装制程利用两片印刷电路板(Printed Circuit
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